包括7nm批量生产和6nm产品的流片, 三星电子在基于EUV技术的先进制程工艺开发上取得重大进展
4月16日,三星电子宣布，其5nm FinFET( 鳍式场效应晶体管)工艺技术已经开发完成，该技术可实现更小面积的芯片和超低功耗，并已准备好为客户提供样品，再次彰显了其在晶圆代工领域的领导地位。此前，三星已实现7nm工艺的批量生产和客户定制的6nm工艺的产品流片(Tape-out)，并将于4月份内实现7nm的出货。
建设中的华城EUV厂鸟瞰图(截止2019年3月)
据悉，与其第一代EUV(极紫外光刻)工艺7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术使芯片内逻辑区域的面积效率可提高到25%，同时降低功耗20%或提高性能10%，从而能够提供更多创新的标准单元架构(Standard Cell)。从7nm转到5nm工艺时, 客户不仅能享受性能、功耗、面积(PPA)上的改进，还可充分利用三星尖端的EUV技术。与前代产品相同，5nm工艺在金属层图案化 (metal layer patterning)中使用了EUV技术，这样可以在减少光罩层的同时，提供更好的保真度。
此外，三星5nm工艺的另一个关键优势，在于可将所有在7nm工艺上开发的知识产权(IP)用于5nm工艺。因此，现有7nm芯片客户在向5nm过渡时，将极大受益于迁移成本的降低和预先验证好的设计环境，从而缩短5nm产品的开发时间。
得益于三星代工厂与其“SAFE(三星晶圆代工生态系统)”合作伙伴的密切合作，自2018年第四季度起，三星已经具备稳定的5nm工艺设计环境，该环境包括PDK(工艺设计工具包)、DM(设计方法)、EDA(电子设计自动化工具)和IP(知识产权)。此外，三星代工厂已开始向客户提供5nm MPW(多项目晶圆)服务。
华城EUV厂的预期鸟瞰图
三星电子(Samsung Electronics)代工业务副社长裴永昌表示：“5nm工艺的成功开发，证明了我们在基于EUV技术的先进节点的研发能力。为了响应客户对先进工艺技术的需求，使其新产品更加出色，我们将继续致力于加速基于EUV技术的先进制程的批量生产。”
同时，裴永昌先生介绍说，考虑到包括PPA和IP在内的各种优势，未来5G、AI(人工智能)、HPC(高性能计算)和自动化等创新领域对EUV技术有大量需求。三星将利用包括EUV技术在内的强大实力，继续向客户提供最先进的技术和解决方案。
据悉，三星已经在韩国华城工厂上线了基于EUV 技术的生产线。此外，三星有计划在2019年下半年将该技术扩大至华城新的生产线，并于第二年进一步增加生产规模。
*本文译自外文，仅供参考
